창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB60N80P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB60N80P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB60N80P | |
| 관련 링크 | IXFB60, IXFB60N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VS-16CTQ100SHM3 | DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK | VS-16CTQ100SHM3.pdf | |
![]() | 42842C-R | 8.45µH Unshielded Toroidal Inductor 10.4A 8 mOhm Max Nonstandard | 42842C-R.pdf | |
![]() | RP73D2B536RBTDF | RES SMD 536 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B536RBTDF.pdf | |
![]() | RC12JB270R | RES 270 OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JB270R.pdf | |
![]() | AP3983RMTR-G1 | Converter Offline Flyback Topology 80kHz 7-SO | AP3983RMTR-G1.pdf | |
![]() | MAX204CWG | MAX204CWG MAXIM SOP | MAX204CWG.pdf | |
![]() | CD74ACT86E | CD74ACT86E RCA DIP-14 | CD74ACT86E.pdf | |
![]() | XC1765EPC20I | XC1765EPC20I XILINX PLCC-20 | XC1765EPC20I.pdf | |
![]() | BFD193 | BFD193 PHILIPS SOT-243 | BFD193.pdf | |
![]() | WP92334L1 | WP92334L1 N/A N A | WP92334L1.pdf | |
![]() | IS42S81600B7TLI | IS42S81600B7TLI INTEGRATEDSILICONSOLUTION SMD or Through Hole | IS42S81600B7TLI.pdf | |
![]() | UPD6600A-K50 | UPD6600A-K50 NEC SMD or Through Hole | UPD6600A-K50.pdf |