창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB210N30P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB210N30P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 210A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 105A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 268nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1890W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB210N30P3 | |
| 관련 링크 | IXFB210, IXFB210N30P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27112IDT | 27.12MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27112IDT.pdf | |
![]() | DFEG12060D-1R5M=P3 | 1.5µH Shielded Inductor 17A 3.6 mOhm Max Nonstandard | DFEG12060D-1R5M=P3.pdf | |
![]() | RT0805BRE07680RL | RES SMD 680 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE07680RL.pdf | |
![]() | MS4800S-14-0840-10X-10R | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-14-0840-10X-10R.pdf | |
![]() | R65C22J4 | R65C22J4 ROCKWE PLCC44 | R65C22J4.pdf | |
![]() | HEDM-5500#I02 | HEDM-5500#I02 AGILENT DIP | HEDM-5500#I02.pdf | |
![]() | RH-1505D/P | RH-1505D/P RECOM SIP-7 | RH-1505D/P.pdf | |
![]() | LDEDC1220JA5N00 | LDEDC1220JA5N00 ARCOTRONICS SMD | LDEDC1220JA5N00.pdf | |
![]() | M5M4V16169DTP-15 | M5M4V16169DTP-15 MIT TSOP | M5M4V16169DTP-15.pdf | |
![]() | XY-LDL-003 | XY-LDL-003 ORIGINAL SMD or Through Hole | XY-LDL-003.pdf | |
![]() | EY07P-Y2 | EY07P-Y2 ORIGINAL ZIP-15 | EY07P-Y2.pdf | |
![]() | WD10-48S09 | WD10-48S09 SANGMEI DIP | WD10-48S09.pdf |