창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFB210N20P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFB210N20P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 210A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 105A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 255nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1500W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFB210N20P | |
관련 링크 | IXFB21, IXFB210N20P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
CJT120010RJJ | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 1200W | CJT120010RJJ.pdf | ||
CRGH1206J180K | RES SMD 180K OHM 5% 1/2W 1206 | CRGH1206J180K.pdf | ||
23J1R5E | RES 1.5 OHM 3W 5% AXIAL | 23J1R5E.pdf | ||
ICS94237AF | ICS94237AF ICS SOP | ICS94237AF.pdf | ||
EZ1083CT-1.5 | EZ1083CT-1.5 SC SMD or Through Hole | EZ1083CT-1.5.pdf | ||
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2SC2412KT147S | 2SC2412KT147S ROHM SMD or Through Hole | 2SC2412KT147S.pdf | ||
RS8953SPBEPJ/28953 | RS8953SPBEPJ/28953 ROCKWELL PLCC68 | RS8953SPBEPJ/28953.pdf | ||
NE555C | NE555C ST SOP | NE555C.pdf | ||
DLP11SN900HL2 | DLP11SN900HL2 MURATA SMD or Through Hole | DLP11SN900HL2.pdf | ||
GRM155F11A105ZE01D | GRM155F11A105ZE01D MURATA SMD or Through Hole | GRM155F11A105ZE01D.pdf | ||
2SK3587-01MR | 2SK3587-01MR FUJI TO-220F | 2SK3587-01MR.pdf |