창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB170N30P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB170N30P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 170A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 85A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 258nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB170N30P | |
| 관련 링크 | IXFB17, IXFB170N30P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237126823 | 0.082µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | BFC237126823.pdf | |
![]() | 416F38012IAR | 38MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38012IAR.pdf | |
![]() | SIT9002AI-08N25DT | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 84mA | SIT9002AI-08N25DT.pdf | |
![]() | CE8509-12M | CE8509-12M CHIPOWER SOT23 | CE8509-12M.pdf | |
![]() | XLR331F77 | XLR331F77 ITTCannon SMD or Through Hole | XLR331F77.pdf | |
![]() | E02A34EBT2 | E02A34EBT2 EPSON QFP | E02A34EBT2.pdf | |
![]() | MBM29LV200TC-90FTN-SFK | MBM29LV200TC-90FTN-SFK FUJTTSU TSSOP-48 | MBM29LV200TC-90FTN-SFK.pdf | |
![]() | LQH31HN54NK03K | LQH31HN54NK03K ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH31HN54NK03K.pdf | |
![]() | STV2216/1 | STV2216/1 ORIGINAL IC | STV2216/1.pdf | |
![]() | TMCUA1D225 | TMCUA1D225 Hitachi SMD or Through Hole | TMCUA1D225.pdf | |
![]() | MSCDRI-126F-152M | MSCDRI-126F-152M MAGLAYER SMD | MSCDRI-126F-152M.pdf |