창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB150N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB150N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 430nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1560W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB150N65X2 | |
| 관련 링크 | IXFB150, IXFB150N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | K223Z10Y5VF5TL2 | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K223Z10Y5VF5TL2.pdf | |
![]() | SIT8008AI-81-33E-16.384000T | OSC XO 3.3V 16.384MHZ OE | SIT8008AI-81-33E-16.384000T.pdf | |
![]() | ERJ-P08J822V | RES SMD 8.2K OHM 5% 2/3W 1206 | ERJ-P08J822V.pdf | |
![]() | 2455R90030880 | AUTO RESET THERMOSTAT | 2455R90030880.pdf | |
![]() | LTSTS27-0K01. | LTSTS27-0K01. LITEON SMD | LTSTS27-0K01..pdf | |
![]() | SILABSF930 | SILABSF930 SILABS QFN32 | SILABSF930.pdf | |
![]() | GRM0335C1H8R1CD01B | GRM0335C1H8R1CD01B muRata SMD or Through Hole | GRM0335C1H8R1CD01B.pdf | |
![]() | 0603N101J500NTG | 0603N101J500NTG AVX SMD | 0603N101J500NTG.pdf | |
![]() | 75LP1185N | 75LP1185N TI DIP20 | 75LP1185N.pdf | |
![]() | TS27M2CN* | TS27M2CN* STM SMD or Through Hole | TS27M2CN*.pdf | |
![]() | 7603-9189 | 7603-9189 ORIGINAL DIP8 | 7603-9189.pdf |