창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFB132N50P3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFB132N50P3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 132A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 66A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1890W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFB132N50P3 | |
관련 링크 | IXFB132, IXFB132N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | SMCJ7.5A-M3/57T | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO214AB | SMCJ7.5A-M3/57T.pdf | |
![]() | EZR32HG320F32R67G-B0 | IC RF TxRx + MCU 802.15.4 142MHz ~ 1.05GHz 48-VFQFN Exposed Pad | EZR32HG320F32R67G-B0.pdf | |
![]() | 223K630V | 223K630V ARCOTRONICS SMD or Through Hole | 223K630V.pdf | |
![]() | V-216-1C-6 | V-216-1C-6 OMRON SMD or Through Hole | V-216-1C-6.pdf | |
![]() | LXY25VB152M16X | LXY25VB152M16X UNITED SMD or Through Hole | LXY25VB152M16X.pdf | |
![]() | WM8535GED | WM8535GED WOLFSON SMD14 | WM8535GED.pdf | |
![]() | S-8261AAJM-G2 | S-8261AAJM-G2 SEIKO SOT23 | S-8261AAJM-G2.pdf | |
![]() | MB89935BPFV-G-142-BNE-ER | MB89935BPFV-G-142-BNE-ER FUJ SSOP30 | MB89935BPFV-G-142-BNE-ER.pdf | |
![]() | LTC235112EUF | LTC235112EUF LT QFN | LTC235112EUF.pdf | |
![]() | EPD-740-5-0.9 | EPD-740-5-0.9 EPIGAP SMDTO46 | EPD-740-5-0.9.pdf | |
![]() | 74F86-3.9M | 74F86-3.9M FAIRCHILD SMD or Through Hole | 74F86-3.9M.pdf |