창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB110N60P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB110N60P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 56m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 245nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1890W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB110N60P3 | |
| 관련 링크 | IXFB110, IXFB110N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 380LQ391M350J042 | 390µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 510 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 380LQ391M350J042.pdf | |
![]() | JCR-B-6R | FUSE CYLINDRICAL | JCR-B-6R.pdf | |
![]() | S1812R-182K | 1.8µH Shielded Inductor 681mA 430 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-182K.pdf | |
![]() | MXL1179CN+ | MXL1179CN+ MAXIM DIP-14 | MXL1179CN+.pdf | |
![]() | 1N1673R | 1N1673R MSC SMD or Through Hole | 1N1673R.pdf | |
![]() | NHP-25 | NHP-25 MINI SMD or Through Hole | NHP-25.pdf | |
![]() | EKMH630LGB153MAC0N | EKMH630LGB153MAC0N NIPPON SMD or Through Hole | EKMH630LGB153MAC0N.pdf | |
![]() | MC68HC16Z1FC25 | MC68HC16Z1FC25 Freescale BQFP144 | MC68HC16Z1FC25.pdf | |
![]() | STP1612PW05XTTR | STP1612PW05XTTR ST SMD or Through Hole | STP1612PW05XTTR.pdf | |
![]() | CBB22 564J400V | CBB22 564J400V ORIGINAL SMD or Through Hole | CBB22 564J400V.pdf | |
![]() | TCD2500D | TCD2500D ORIGINAL DIP | TCD2500D.pdf | |
![]() | LT3580IDDTRPBF | LT3580IDDTRPBF LT SMD or Through Hole | LT3580IDDTRPBF.pdf |