창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB110N60P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB110N60P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 56m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 245nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1890W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB110N60P3 | |
| 관련 링크 | IXFB110, IXFB110N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CRGV2512F84K5 | RES SMD 84.5K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F84K5.pdf | |
![]() | TBN4227U-1 | TBN4227U-1 AUK SOT-23 | TBN4227U-1.pdf | |
![]() | TMP3459 | TMP3459 ORIGINAL DIP | TMP3459.pdf | |
![]() | LC75827 | LC75827 SANYO QFP | LC75827.pdf | |
![]() | FD1771PL-01 | FD1771PL-01 ORIGINAL DIP-40 | FD1771PL-01.pdf | |
![]() | 908140812 | 908140812 MOLEX NA | 908140812.pdf | |
![]() | M322G | M322G ORIGINAL SOP-8 | M322G.pdf | |
![]() | LXV10VB8200M | LXV10VB8200M NPPN SMD or Through Hole | LXV10VB8200M.pdf | |
![]() | BD6513 | BD6513 ROHM DIPSOP | BD6513.pdf | |
![]() | C2012Y5V1H105Z000N | C2012Y5V1H105Z000N TDK SMD or Through Hole | C2012Y5V1H105Z000N.pdf | |
![]() | LM358N(CA358E) | LM358N(CA358E) HARRIS DIP-8P | LM358N(CA358E).pdf |