창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA6N120P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,P,H)6N120P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2830pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXFA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA6N120P | |
| 관련 링크 | IXFA6N, IXFA6N120P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 511-32F | 3µH Unshielded Molded Inductor 355mA 1.8 Ohm Max Axial | 511-32F.pdf | |
![]() | CRGH2512J27R | RES SMD 27 OHM 5% 2W 2512 | CRGH2512J27R.pdf | |
![]() | CPF0402B127KE1 | RES SMD 127K OHM 0.1% 1/16W 0402 | CPF0402B127KE1.pdf | |
![]() | B7686 | B7686 EPCOS SMD | B7686.pdf | |
![]() | 2222 150 38151 | 2222 150 38151 vishay DIP | 2222 150 38151.pdf | |
![]() | 1444S | 1444S EUROSIL DIP-8 | 1444S.pdf | |
![]() | B4002-0774-5B40 | B4002-0774-5B40 SAMSUNG QFP | B4002-0774-5B40.pdf | |
![]() | CM21X7R152K50ATL | CM21X7R152K50ATL KYOCERA SMD | CM21X7R152K50ATL.pdf | |
![]() | LSI53C1030T-A3 | LSI53C1030T-A3 LSILOGIC BGA | LSI53C1030T-A3.pdf | |
![]() | P8103H003-B | P8103H003-B TOSHIBA SOP-8 | P8103H003-B.pdf | |
![]() | GPL10A4-188A | GPL10A4-188A GENERALPL LUOPIAN | GPL10A4-188A.pdf |