창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA4N100P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,P)4N100P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1456pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXFA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA4N100P | |
| 관련 링크 | IXFA4N, IXFA4N100P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012V-101-W-T5 | RES SMD 100 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-101-W-T5.pdf | |
![]() | 541020204 | 541020204 MLX na | 541020204.pdf | |
![]() | DS9667MJ-MIL | DS9667MJ-MIL NS CDIP16 | DS9667MJ-MIL.pdf | |
![]() | TC623CC0A | TC623CC0A TSI SOIC | TC623CC0A.pdf | |
![]() | 2SB369 | 2SB369 MAT CAN | 2SB369.pdf | |
![]() | FSCQ0565RTYDTU==Fairchild | FSCQ0565RTYDTU==Fairchild ORIGINAL TO-220F-5 | FSCQ0565RTYDTU==Fairchild.pdf | |
![]() | BD1540 | BD1540 ORIGINAL TO-3 | BD1540.pdf | |
![]() | PIC18LF6390-I/PT (ROHS) | PIC18LF6390-I/PT (ROHS) MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC18LF6390-I/PT (ROHS).pdf | |
![]() | STM L7808CV | STM L7808CV ST SMD or Through Hole | STM L7808CV.pdf | |
![]() | 43V/A3-38.88M | 43V/A3-38.88M ORIGINAL OTHER | 43V/A3-38.88M.pdf | |
![]() | d240909S-1W/2w | d240909S-1W/2w ORIGINAL SMD or Through Hole | d240909S-1W/2w.pdf | |
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