창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA18N60X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,P,H)18N60X | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1440pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 320W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AA | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA18N60X | |
| 관련 링크 | IXFA18, IXFA18N60X 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SQP10AJB-1R5 | RES 1.5 OHM 10W 5% AXIAL | SQP10AJB-1R5.pdf | |
![]() | CW01012K00KE123 | RES 12K OHM 13W 10% AXIAL | CW01012K00KE123.pdf | |
![]() | TPS2211AIDBRE4 | TPS2211AIDBRE4 TI SSOP-11 | TPS2211AIDBRE4.pdf | |
![]() | R80C188XL20 | R80C188XL20 INTEL CLCC | R80C188XL20.pdf | |
![]() | SEL5523C | SEL5523C SANKEN ROHS | SEL5523C.pdf | |
![]() | IRFS17N80C3*********** | IRFS17N80C3*********** IR/VISHAY SOT263 | IRFS17N80C3***********.pdf | |
![]() | AD42211-H | AD42211-H SolidSta SMD or Through Hole | AD42211-H.pdf | |
![]() | ADG704BRM-REEL7 TEL:82766440 | ADG704BRM-REEL7 TEL:82766440 AD MSOP8 | ADG704BRM-REEL7 TEL:82766440.pdf | |
![]() | SESOTA05BC | SESOTA05BC Willas SOT-23 | SESOTA05BC.pdf | |
![]() | DW-167MN01 | DW-167MN01 ORIGINAL DIP | DW-167MN01.pdf | |
![]() | MMBD914LT1. | MMBD914LT1. AME SOT-23 | MMBD914LT1..pdf | |
![]() | SN94316N | SN94316N TI DIP40 | SN94316N.pdf |