창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA16N60P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx16N60P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 440m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1830pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 347W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXFA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA16N60P3 | |
| 관련 링크 | IXFA16, IXFA16N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VS-MBRB2545CTPBF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK | VS-MBRB2545CTPBF.pdf | |
![]() | RMCP2010FT806R | RES SMD 806 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT806R.pdf | |
![]() | XC3190APC84-4/5C | XC3190APC84-4/5C XILINT PLCC84 | XC3190APC84-4/5C.pdf | |
![]() | SB3100-M | SB3100-M LITEON SMD or Through Hole | SB3100-M.pdf | |
![]() | HY57V651620TC-10 | HY57V651620TC-10 HYNIX TSOP54 | HY57V651620TC-10.pdf | |
![]() | MAX800 | MAX800 MAX SMD or Through Hole | MAX800.pdf | |
![]() | W25Q64BVDAFT | W25Q64BVDAFT WINBOND PDIP | W25Q64BVDAFT.pdf | |
![]() | AD774AR | AD774AR AD SMD or Through Hole | AD774AR.pdf | |
![]() | LXB3351S | LXB3351S LXR SMD or Through Hole | LXB3351S.pdf | |
![]() | STB88C166-5M | STB88C166-5M ST QFP | STB88C166-5M.pdf | |
![]() | TC55V1001ASTI-10L | TC55V1001ASTI-10L TOSH SMD or Through Hole | TC55V1001ASTI-10L.pdf |