창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA14N60P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx14N60P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1480pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 327W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXFA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA14N60P3 | |
| 관련 링크 | IXFA14, IXFA14N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1E8R0CA01D | 8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E8R0CA01D.pdf | |
![]() | V1000LU160BPXL3B | VARISTOR | V1000LU160BPXL3B.pdf | |
![]() | AME431BAJETA25Z | AME431BAJETA25Z AME SOT-23 | AME431BAJETA25Z.pdf | |
![]() | 7005S55J | 7005S55J HP DIP | 7005S55J.pdf | |
![]() | RAD0556 | RAD0556 CMD QFP | RAD0556.pdf | |
![]() | IRF8010BPF | IRF8010BPF IR TO-220 | IRF8010BPF.pdf | |
![]() | 2SL3157 | 2SL3157 HIT TO-220 | 2SL3157.pdf | |
![]() | TP5817 | TP5817 SPRAGUE SMD or Through Hole | TP5817.pdf | |
![]() | TIA02812D13Q | TIA02812D13Q ORIGINAL SMD or Through Hole | TIA02812D13Q.pdf | |
![]() | ATF20V10B-10NM/883 | ATF20V10B-10NM/883 ATMEL LCC | ATF20V10B-10NM/883.pdf | |
![]() | EGXE800ETD470MJC5S | EGXE800ETD470MJC5S Chemi-con NA | EGXE800ETD470MJC5S.pdf | |
![]() | Z8440ACSSIO | Z8440ACSSIO ZILO DIP | Z8440ACSSIO.pdf |