창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA110N15T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,P)110N15T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 480W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXFA) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA110N15T2 | |
| 관련 링크 | IXFA110, IXFA110N15T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | DRC9114Y0L | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | DRC9114Y0L.pdf | |
![]() | AT0603BRD07182KL | RES SMD 182K OHM 0.1% 1/10W 0603 | AT0603BRD07182KL.pdf | |
![]() | CPCC07R4700JE66 | RES 0.47 OHM 7W 5% RADIAL | CPCC07R4700JE66.pdf | |
![]() | EPCS4SI8N0C | EPCS4SI8N0C ORIGINAL NA | EPCS4SI8N0C.pdf | |
![]() | ZT208ECT | ZT208ECT ORIGINAL SMD24 | ZT208ECT.pdf | |
![]() | RJL-6V102MG4 | RJL-6V102MG4 ELNA DIP | RJL-6V102MG4.pdf | |
![]() | BAS216WS-BL-S4032/WG | BAS216WS-BL-S4032/WG ST SOD323 | BAS216WS-BL-S4032/WG.pdf | |
![]() | TO-3210AC-MY | TO-3210AC-MY OASIS PB-FREE | TO-3210AC-MY.pdf | |
![]() | SSW3N80ATM | SSW3N80ATM SAMSUNG SMD or Through Hole | SSW3N80ATM.pdf | |
![]() | HC1J338M25030HA159 | HC1J338M25030HA159 SAMWHA SMD or Through Hole | HC1J338M25030HA159.pdf | |
![]() | XC405E-6BG560C | XC405E-6BG560C XILINX BGA | XC405E-6BG560C.pdf | |
![]() | FC-F1608BAK(5) | FC-F1608BAK(5) ORIGINAL SMD | FC-F1608BAK(5).pdf |