창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ISO5852SDW | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ISO5852S Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Isolation Glossary Analog Applications Journal Digital-Isolation Technology Isolated Gate Drivers | |
| 설계 리소스 | Digital Isolator Design Guide | |
| 제조업체 제품 페이지 | ISO5852SDW Specifications | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광절연기 - 게이트 구동기 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 기술 | 정전 용량 결합 | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 5700Vrms | |
| 공통 모드 일시 내성(최소) | 100kV/µs | |
| 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) | 110ns, 110ns | |
| 펄스 폭 왜곡(최대) | - | |
| 상승/하강 시간(통상) | 18ns, 20ns | |
| 전류 - 고출력, 저출력 | 1.5A, 3.4A | |
| 전류 - 피크 출력 | 2.7A, 5.5A | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | - | |
| 전류 - DC 순방향(If) | - | |
| 전압 - 공급 | 15 V ~ 30 V | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 16-SOIC | |
| 승인 | CQC, CSA, UR, VDE | |
| 표준 포장 | 40 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ISO5852SDW | |
| 관련 링크 | ISO585, ISO5852SDW 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 251R15S1R5BV4E | 1.5pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S1R5BV4E.pdf | |
![]() | AC0603FR-073K83L | RES SMD 3.83K OHM 1% 1/10W 0603 | AC0603FR-073K83L.pdf | |
![]() | RT1210FRE078R2L | RES SMD 8.2 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRE078R2L.pdf | |
![]() | UUN1H221MNL6ZD | UUN1H221MNL6ZD nichicon SMD-2 | UUN1H221MNL6ZD.pdf | |
![]() | AM2901BDCT-B | AM2901BDCT-B AMD DIP | AM2901BDCT-B.pdf | |
![]() | UDZ TE-17 11B(11V) | UDZ TE-17 11B(11V) ROHM SOD-323 | UDZ TE-17 11B(11V).pdf | |
![]() | D0509S-1W | D0509S-1W MORNSUN DIP | D0509S-1W.pdf | |
![]() | E5104AE | E5104AE ELPIDA BGA | E5104AE.pdf | |
![]() | MPC51-G-A2 | MPC51-G-A2 NVIDIA BGA | MPC51-G-A2.pdf | |
![]() | LTC17169CS | LTC17169CS LT SOP-8 | LTC17169CS.pdf | |
![]() | 74LVTH32245EC | 74LVTH32245EC NXP LFBGA96 | 74LVTH32245EC.pdf |