창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-ISL6421AERZ-T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | ISL6421AERZ-T | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | QFN32 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | ISL6421AERZ-T | |
관련 링크 | ISL6421, ISL6421AERZ-T 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | CRCW04024K42FKED | RES SMD 4.42K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04024K42FKED.pdf | |
![]() | ROX3SJ62R | RES 62.0 OHM 3W 5% AXIAL | ROX3SJ62R.pdf | |
![]() | M74LS241FP | M74LS241FP MITSUBISHI SOP20 | M74LS241FP.pdf | |
![]() | CLS5D11HPNP-470NC | CLS5D11HPNP-470NC SUM SMD or Through Hole | CLS5D11HPNP-470NC.pdf | |
![]() | CR125-101J | CR125-101J ORIGINAL SMD or Through Hole | CR125-101J.pdf | |
![]() | US1G11T | US1G11T GENERALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | US1G11T.pdf | |
![]() | BD649. | BD649. NXP TO-220 | BD649..pdf | |
![]() | 2F13-5 | 2F13-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2F13-5.pdf | |
![]() | C0402JRNP09BN120(Phycomp) | C0402JRNP09BN120(Phycomp) ORIGINAL SMD or Through Hole | C0402JRNP09BN120(Phycomp).pdf | |
![]() | G4AT B502M | G4AT B502M TOCOS XX | G4AT B502M.pdf |