창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLZ34STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFZ34(S,L),SiHFZ34(S,L) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 18A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLZ34STRR | |
| 관련 링크 | IRLZ34, IRLZ34STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 2N5838 | 2N5838 NES TO-3 | 2N5838.pdf | |
![]() | HD6473297F16KV5.8 | HD6473297F16KV5.8 Micrel oemexcess | HD6473297F16KV5.8.pdf | |
![]() | B1ABCF000010 | B1ABCF000010 ROHM SMD or Through Hole | B1ABCF000010.pdf | |
![]() | LQW1608AR27J00T1M00-03(LQW18ANR27J00D) | LQW1608AR27J00T1M00-03(LQW18ANR27J00D) MURATA SMD or Through Hole | LQW1608AR27J00T1M00-03(LQW18ANR27J00D).pdf | |
![]() | SDT-S-124LMR-24V | SDT-S-124LMR-24V OEG RELAY | SDT-S-124LMR-24V.pdf | |
![]() | BZX84C33LT1. | BZX84C33LT1. ON SOT23 | BZX84C33LT1..pdf | |
![]() | 4RV20-180A150-R101JT | 4RV20-180A150-R101JT CTC SMD | 4RV20-180A150-R101JT.pdf | |
![]() | B37981M1222K54 | B37981M1222K54 epcos INSTOCKPACK2500 | B37981M1222K54.pdf | |
![]() | LC24B6 | LC24B6 ST SOP8 | LC24B6.pdf | |
![]() | LQLB2518T-102M | LQLB2518T-102M TAIYO 0805-1MH | LQLB2518T-102M.pdf | |
![]() | H3Y-2-10S-220VAC | H3Y-2-10S-220VAC OMRON DIP | H3Y-2-10S-220VAC.pdf |