창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLZ34NSPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLZ34NSPbF, IRLZ34NLPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRLZ34NS Saber Model IRLZ34NS Spice Model | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 880pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRLZ34NSPBF SP001568692 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLZ34NSPBF | |
| 관련 링크 | IRLZ34, IRLZ34NSPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | SG-310SCF 24.0520MC0 | 24.052MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 2.5mA Standby (Power Down) | SG-310SCF 24.0520MC0.pdf | |
![]() | SM2615BT1R50 | RES SMD 1.5 OHM 0.1% 1W 2615 | SM2615BT1R50.pdf | |
![]() | KP5 | KP5 MCC SOT-323 | KP5.pdf | |
![]() | MLF2012K470MT | MLF2012K470MT TDK 0805 inch | MLF2012K470MT.pdf | |
![]() | PA32208 | PA32208 XGI 709-BGA | PA32208.pdf | |
![]() | 503948052 | 503948052 MOLEX SMD or Through Hole | 503948052.pdf | |
![]() | DP8392AV | DP8392AV NS DIP | DP8392AV.pdf | |
![]() | 88M1050-NNB1 | 88M1050-NNB1 ORIGINAL QFN | 88M1050-NNB1.pdf | |
![]() | EKMY250ETD102MK20S | EKMY250ETD102MK20S NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMY250ETD102MK20S.pdf |