창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLZ24NPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLZ24NPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRLZ24NPBF SP001553022 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLZ24NPBF | |
| 관련 링크 | IRLZ24, IRLZ24NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CX2016DB27000D0GEJCC | 27MHz ±15ppm 수정 8pF 60옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2016DB27000D0GEJCC.pdf | |
![]() | STB20100TR | DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK | STB20100TR.pdf | |
![]() | ERJ-1TYJ823U | RES SMD 82K OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1TYJ823U.pdf | |
![]() | 1200-50-AA | 1200-50-AA FUTURE SMD or Through Hole | 1200-50-AA.pdf | |
![]() | PS7141E-2A | PS7141E-2A NEC DIPSOP | PS7141E-2A.pdf | |
![]() | TLC5618AC/AI | TLC5618AC/AI TI DIP8 | TLC5618AC/AI.pdf | |
![]() | 07N60C3 | 07N60C3 INFIN P-TO252 | 07N60C3 .pdf | |
![]() | MIC24LC512I/MF | MIC24LC512I/MF MIC QFN8 | MIC24LC512I/MF.pdf | |
![]() | 60274-2 | 60274-2 TYCO SMD or Through Hole | 60274-2.pdf | |
![]() | ST300Z1H | ST300Z1H ORIGINAL SMD or Through Hole | ST300Z1H.pdf | |
![]() | MC14175DR2 | MC14175DR2 ON SOP | MC14175DR2.pdf |