Infineon Technologies IRLU3110ZPBF

IRLU3110ZPBF
제조업체 부품 번호
IRLU3110ZPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
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내부 부품 번호EIS-IRLU3110ZPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRLR3110ZPbF, IRLU3110ZPbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRLR3110ZPBF Saber Model
IRLR3110ZPBF Spice Model
PCN 설계/사양Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C42A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs14m옴 @ 38A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs48nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3980pF @ 25V
전력 - 최대140W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지IPAK(TO-251)
표준 포장 75
다른 이름SP001578962
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRLU3110ZPBF
관련 링크IRLU311, IRLU3110ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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9.8304MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) ABM3-9.8304MHZ-B4Y-T.pdf
RES SMD 357 OHM 0.25% 1/16W 0402 RT0402CRE07357RL.pdf
RES 26.7 OHM 1/2W 1% AXIAL CMF5526R700FKRE70.pdf
SNSR OPTO TRANS TH MOD PHOTOTRAN OPS695.pdf
LM6371TLX-ADJ NS BGA5 LM6371TLX-ADJ.pdf
2SC851 ORIGINAL TO-92 2SC851.pdf
BUF08822AIPWPRG4 TEXAS SMD or Through Hole BUF08822AIPWPRG4.pdf
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