창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLU3110ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR3110ZPbF, IRLU3110ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLR3110ZPBF Saber Model IRLR3110ZPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 38A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001578962 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLU3110ZPBF | |
관련 링크 | IRLU311, IRLU3110ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ABM3-9.8304MHZ-B4Y-T | 9.8304MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3-9.8304MHZ-B4Y-T.pdf | ||
RT0402CRE07357RL | RES SMD 357 OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRE07357RL.pdf | ||
CMF5526R700FKRE70 | RES 26.7 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5526R700FKRE70.pdf | ||
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2SC851 | 2SC851 ORIGINAL TO-92 | 2SC851.pdf | ||
BUF08822AIPWPRG4 | BUF08822AIPWPRG4 TEXAS SMD or Through Hole | BUF08822AIPWPRG4.pdf | ||
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SH20114R7YLB | SH20114R7YLB ABC SMD | SH20114R7YLB.pdf | ||
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MAX6453UT23S+ | MAX6453UT23S+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX6453UT23S+.pdf |