창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLU3110ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR3110ZPbF, IRLU3110ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLR3110ZPBF Saber Model IRLR3110ZPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 38A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001578962 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLU3110ZPBF | |
관련 링크 | IRLU311, IRLU3110ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
LCE13A | TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO201 | LCE13A.pdf | ||
RC2012F9091CS | RES SMD 9.09K OHM 1% 1/8W 0805 | RC2012F9091CS.pdf | ||
CMF5515M000GNRE | RES 15M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF5515M000GNRE.pdf | ||
SP8300 | SP8300 DIT CAN | SP8300.pdf | ||
IMP1811R-5-T | IMP1811R-5-T IMP SOT-23 | IMP1811R-5-T.pdf | ||
PQ2L3182MSP | PQ2L3182MSP SHARP TO243ASOT89 | PQ2L3182MSP.pdf | ||
ISL81483ECP | ISL81483ECP INTERSIL DIP | ISL81483ECP.pdf | ||
IFF0455E6SE01 | IFF0455E6SE01 ORIGINAL SMD | IFF0455E6SE01.pdf | ||
49/S49.050MHz | 49/S49.050MHz nsk SMD or Through Hole | 49/S49.050MHz.pdf | ||
MALH047YGL | MALH047YGL PANASONI SOT343 | MALH047YGL.pdf | ||
CMF-5050B-900M | CMF-5050B-900M ORIGINAL SMD | CMF-5050B-900M.pdf |