창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLS4030TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLS(L)4030PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 06/Oct/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 110A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11360pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 370W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRLS4030TRLPBFTR SP001552944 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLS4030TRLPBF | |
관련 링크 | IRLS4030, IRLS4030TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CRCW1206121RFKEC | RES SMD 121 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206121RFKEC.pdf | |
![]() | SY100S301DC | SY100S301DC SYNERGY DIP | SY100S301DC.pdf | |
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![]() | G6A-474P-40-24V | G6A-474P-40-24V OMRON DIP-SOP | G6A-474P-40-24V.pdf | |
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![]() | 5KP75CA-E3/54 | 5KP75CA-E3/54 VISHAY P600 | 5KP75CA-E3/54.pdf | |
![]() | DNF52-Y-3*35A | DNF52-Y-3*35A AERPDEV EML | DNF52-Y-3*35A.pdf | |
![]() | TLD-36W/865-NS | TLD-36W/865-NS PHILIPS SMD or Through Hole | TLD-36W/865-NS.pdf | |
![]() | 200HXC1200M35X35 | 200HXC1200M35X35 RUBYCON DIP | 200HXC1200M35X35.pdf |