Infineon Technologies IRLS4030-7PPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRLS4030-7PPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IRLS4030-7PPBF 가격 및 조달
가능 수량
9632 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,103.13200
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IRLS4030-7PPBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRLS4030-7PPBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRLS4030-7PPBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IRLS4030-7PPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRLS4030-7PPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLS4030-7PPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLS4030-7PPBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRLS4030-7PPBF Saber Model IRLS4030-7PPBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 190A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 110A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11490pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 370W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | IRLS40307PPBF SP001568682 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLS4030-7PPBF | |
| 관련 링크 | IRLS4030, IRLS4030-7PPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IRLS4030-7PPBF 의 관련 제품
-Rectangle-with-Flat-Top.jpg) | QBLP650-S2 | Red 620nm LED Indication - Discrete 2V 1206 (3216 Metric) | QBLP650-S2.pdf | |
 | PG0702.302NL | 3µH Shielded Wirewound Inductor 12.4A 5.9 mOhm Nonstandard | PG0702.302NL.pdf | |
 | RL1218FK-070R03L | RES SMD 0.03 OHM 1W 1812 WIDE | RL1218FK-070R03L.pdf | |
 | RA33H1516M1-101 | RA33H1516M1-101 MIT H2S | RA33H1516M1-101.pdf | |
| K4T56034QF-2C05 | K4T56034QF-2C05 SAMSUNG BGA | K4T56034QF-2C05.pdf | |
| SM02B-BHCS-2-TB(LF) | SM02B-BHCS-2-TB(LF) JST PBF | SM02B-BHCS-2-TB(LF).pdf | |
| MAX409AEPA | MAX409AEPA MAXIM DIP-8 | MAX409AEPA.pdf | |
| SMBJ22A-7P | SMBJ22A-7P MCC SMB | SMBJ22A-7P.pdf | |
| 39-01-3028 | 39-01-3028 MOLEX SMD or Through Hole | 39-01-3028.pdf | |
| LPZ1R005FE-PB(F) | LPZ1R005FE-PB(F) ORIGINAL SMD or Through Hole | LPZ1R005FE-PB(F).pdf | |
| MSM66573L-082TB | MSM66573L-082TB ORIGINAL QFP | MSM66573L-082TB.pdf | |
| 1N3993RC | 1N3993RC MICROSEMI SMD | 1N3993RC.pdf |