창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLS3036TRL7PP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLS3036-L7 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1519 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 180A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11270pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 380W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRLS3036TRL7PPTR SP001574154 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLS3036TRL7PP | |
관련 링크 | IRLS3036, IRLS3036TRL7PP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
TNPW0603422RBETA | RES SMD 422 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603422RBETA.pdf | ||
RCP0505W20R0JS6 | RES SMD 20 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W20R0JS6.pdf | ||
Y11215K11000B0L | RES SMD 5.11K OHM 1/4W 2512 | Y11215K11000B0L.pdf | ||
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BI1668-44B | BI1668-44B BI SOP16 | BI1668-44B.pdf | ||
RJ0805FRE07147RL | RJ0805FRE07147RL Yageo SMD or Through Hole | RJ0805FRE07147RL.pdf | ||
TACT82201 | TACT82201 TI PLCC84 | TACT82201.pdf | ||
D20BA3-33.000MHZTR | D20BA3-33.000MHZTR ORIGINAL SMD or Through Hole | D20BA3-33.000MHZTR.pdf | ||
FQA170N08 | FQA170N08 FSC 1TO-247 | FQA170N08.pdf | ||
CPC1330 | CPC1330 CLARE DIP-4 SOP-4 | CPC1330.pdf |