Infineon Technologies IRLR8729TRPBF

IRLR8729TRPBF
제조업체 부품 번호
IRLR8729TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
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내부 부품 번호EIS-IRLR8729TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRL(R,U)8729PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRLR8729PBF Saber Model
IRLR8729PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C58A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8,9m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.35V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs16nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1350pF @ 15V
전력 - 최대55W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 2,000
다른 이름IRLR8729TRPBF-ND
IRLR8729TRPBFTR
SP001569082
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRLR8729TRPBF
관련 링크IRLR872, IRLR8729TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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32MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F32033ILT.pdf
DT1V4 ORIGINAL SOP-8 DT1V4.pdf
VSC2617RHBRG4 TI QFN32 VSC2617RHBRG4.pdf
TRF2436IRTBTR N/A NA TRF2436IRTBTR.pdf
UPD65611GA-Y18-9EU NEC QFP UPD65611GA-Y18-9EU.pdf
E7C5051D ST SOP16 E7C5051D.pdf
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MC44L-X M SMD or Through Hole MC44L-X.pdf
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