창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR8103VTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR8103VPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLR8103VTRPBF Saber Model IRLR8103VTRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 91A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2672pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRLR8103VPBFTR SP001558514 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR8103VTRPBF | |
관련 링크 | IRLR8103, IRLR8103VTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ATS240C-E | 24MHz ±30ppm 수정 12pF 30옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ATS240C-E.pdf | ||
RNCS0805BKE750R | RES SMD 750 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RNCS0805BKE750R.pdf | ||
CMF5050R500BHR6 | RES 50.5 OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF5050R500BHR6.pdf | ||
ELJNC22NK | ELJNC22NK PANASONIC SMD or Through Hole | ELJNC22NK.pdf | ||
TQ8009-3.3 TEL:82766440 | TQ8009-3.3 TEL:82766440 TQ TSOT23-5 | TQ8009-3.3 TEL:82766440.pdf | ||
LTC2938CDE#PBF | LTC2938CDE#PBF LINEAR DFN-12 | LTC2938CDE#PBF.pdf | ||
SM8S11A-E3/2D | SM8S11A-E3/2D VISHAY DO-218AB | SM8S11A-E3/2D.pdf | ||
PSD302-A-12J(ok) | PSD302-A-12J(ok) WSI PLCC | PSD302-A-12J(ok).pdf | ||
LQPO3TN8N2J04D | LQPO3TN8N2J04D MURATA SMD or Through Hole | LQPO3TN8N2J04D.pdf |