창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR7833 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR7833, IRLU7833 | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRLR7833 Saber Model IRLR7833 Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | HiRel EOL 28/Jun/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4010pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRLR7833 SP001568746 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR7833 | |
| 관련 링크 | IRLR, IRLR7833 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RCWE061251L0JNEA | RES SMD 0.051 OHM 5% 1W 0612 | RCWE061251L0JNEA.pdf | |
![]() | PNP1WVJR-73-0R1 | RES 0.1 OHM 1W 5% AXIAL | PNP1WVJR-73-0R1.pdf | |
![]() | RC1005F1622AS | RC1005F1622AS SAMSUNG SMD or Through Hole | RC1005F1622AS.pdf | |
![]() | SW6317-VB | SW6317-VB SW NA | SW6317-VB.pdf | |
![]() | KT3225F16368ACW28TC0 | KT3225F16368ACW28TC0 KyoceraElect SMD or Through Hole | KT3225F16368ACW28TC0.pdf | |
![]() | ROM3(S06) | ROM3(S06) infineon QFP | ROM3(S06).pdf | |
![]() | SIG22-02 | SIG22-02 FUJI SMD or Through Hole | SIG22-02.pdf |