창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR6225TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR6225PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLR6225PBF Saber Model IRLR6225PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 21A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3770pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRLR6225TRPBFTR SP001573984 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR6225TRPBF | |
관련 링크 | IRLR622, IRLR6225TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C1210C472J1GALTU | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C472J1GALTU.pdf | |
![]() | ALZ51B05TW | ALZ RELAY 1 FORM A 5V | ALZ51B05TW.pdf | |
![]() | RC0805JR-0791RL | RES SMD 91 OHM 5% 1/8W 0805 | RC0805JR-0791RL.pdf | |
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![]() | TX1292NL | TX1292NL PULSE SOP | TX1292NL.pdf | |
![]() | 2N4125RLRA | 2N4125RLRA ONS Call | 2N4125RLRA.pdf | |
![]() | 3119AR | 3119AR D/C DIP | 3119AR.pdf | |
![]() | 9310AA | 9310AA RAY DIP | 9310AA.pdf | |
![]() | 722-9 | 722-9 TELEDYNE CAN10 | 722-9.pdf | |
![]() | RN4909 TEL:82766440 | RN4909 TEL:82766440 TOSHIBA SOT-363 | RN4909 TEL:82766440.pdf | |
![]() | AS7815A | AS7815A BCD TO-220 | AS7815A.pdf | |
![]() | NCP5399 | NCP5399 MOTOROLA QFP-32 | NCP5399.pdf |