창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR3636TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL(R,U)3636PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3779pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 143W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRLR3636TRPBFTR SP001574002 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR3636TRPBF | |
관련 링크 | IRLR363, IRLR3636TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MKP385251100JC02G0 | 5100pF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.236" W (10.00mm x 6.00mm) | MKP385251100JC02G0.pdf | ||
BZX84C5V1TS-7-F | DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT363 | BZX84C5V1TS-7-F.pdf | ||
ERJ-S08J121V | RES SMD 120 OHM 5% 1/4W 1206 | ERJ-S08J121V.pdf | ||
ISL6606ACRZ-TS256 | ISL6606ACRZ-TS256 INTERSIL QFN-8 | ISL6606ACRZ-TS256.pdf | ||
MCP5200CBV400B | MCP5200CBV400B MOT BGA | MCP5200CBV400B.pdf | ||
PS1009 | PS1009 PANASONIC SOP10 | PS1009.pdf | ||
AM29030FC | AM29030FC AMD QFP | AM29030FC.pdf | ||
SPB-2026Z-EVB1 | SPB-2026Z-EVB1 RFMD/SIRENZA SMD or Through Hole | SPB-2026Z-EVB1.pdf | ||
MC33269DR2-3-3G | MC33269DR2-3-3G MOT SOP8 | MC33269DR2-3-3G.pdf | ||
AN15867A-VT | AN15867A-VT Pb QFP | AN15867A-VT.pdf | ||
D46SZ-010 | D46SZ-010 ORIGINAL QFP | D46SZ-010.pdf |