창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR3410TRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR/U3410PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRLR3410TRPBF Saber Model IRLR3410TRPBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP001558920 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR3410TRRPBF | |
| 관련 링크 | IRLR3410, IRLR3410TRRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | DP11HN15B25P | DP11 HOR 15P NDET 25P M7*7MM | DP11HN15B25P.pdf | |
![]() | W2F43A2208AT1A | W2F43A2208AT1A AVX SMD | W2F43A2208AT1A.pdf | |
![]() | BFU98 | BFU98 VISHAY DIP | BFU98.pdf | |
![]() | 3.3UHJ | 3.3UHJ TDK 2520 | 3.3UHJ.pdf | |
![]() | SAB-L510A-R8N | SAB-L510A-R8N SIEMENS PLCC | SAB-L510A-R8N.pdf | |
![]() | ACD635 | ACD635 TQP QFN | ACD635.pdf | |
![]() | CC0603 270G 50VY | CC0603 270G 50VY ORIGINAL SMD or Through Hole | CC0603 270G 50VY.pdf | |
![]() | 44.62.9.024 | 44.62.9.024 FENGDE RELAY | 44.62.9.024.pdf | |
![]() | LB11660FV | LB11660FV SSOP SANYO | LB11660FV.pdf | |
![]() | XPC7410 | XPC7410 ORIGINAL SMD or Through Hole | XPC7410.pdf |