창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR3110ZTRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR3110ZPbF, IRLU3110ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 38A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001569150 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR3110ZTRRPBF | |
관련 링크 | IRLR3110Z, IRLR3110ZTRRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MXO45HSTLV-3C-50M0000 | 50MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 3.3V 35mA Enable/Disable | MXO45HSTLV-3C-50M0000.pdf | ||
ERJ-6BQJR33V | RES SMD 0.33 OHM 5% 1/3W 0805 | ERJ-6BQJR33V.pdf | ||
SR0603KR-7W3R9L | RES SMD 3.9 OHM 10% 1/5W 0603 | SR0603KR-7W3R9L.pdf | ||
PM44AS | PM44AS ORIGINAL SOP | PM44AS.pdf | ||
PM0004AM | PM0004AM PIONEER SOP48 | PM0004AM.pdf | ||
031Q TEL:82766440 | 031Q TEL:82766440 SICON SMD or Through Hole | 031Q TEL:82766440.pdf | ||
SKEYAJA010 | SKEYAJA010 ALPS SMD or Through Hole | SKEYAJA010.pdf | ||
SI9424BOY-T1-E3-10 | SI9424BOY-T1-E3-10 VISHAY SOP | SI9424BOY-T1-E3-10.pdf | ||
MCR01MZSJ394 | MCR01MZSJ394 ROHM SMD or Through Hole | MCR01MZSJ394.pdf | ||
572D336X0004P2T | 572D336X0004P2T VISHAY P | 572D336X0004P2T.pdf | ||
KAR08LAGT | KAR08LAGT E-Switch SMD or Through Hole | KAR08LAGT.pdf |