창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR3105TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR3105PbF, IRLU3105PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 37m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 57W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001552778 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR3105TRLPBF | |
관련 링크 | IRLR3105, IRLR3105TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | PSU16115 | 161µF 125V Aluminum Capacitors Radial, Can - QC Terminals | PSU16115.pdf | |
![]() | SIT8008AI-73-33E-36.864000D | OSC XO 3.3V 36.864MHZ OE | SIT8008AI-73-33E-36.864000D.pdf | |
![]() | RC2798GT | RC2798GT FSC TSSOP | RC2798GT.pdf | |
![]() | 60WQ06 | 60WQ06 IR SOT252 | 60WQ06.pdf | |
![]() | RD6.2UJ 6V2 | RD6.2UJ 6V2 ORIGINAL SMD or Through Hole | RD6.2UJ 6V2.pdf | |
![]() | STV2216B | STV2216B ST SDIP-42 | STV2216B.pdf | |
![]() | AT25320N-10SI-1.8 | AT25320N-10SI-1.8 ATMEL SOP-8 | AT25320N-10SI-1.8.pdf | |
![]() | 3-822472-1 | 3-822472-1 AMP SMD or Through Hole | 3-822472-1.pdf | |
![]() | ESDA25VLT1G | ESDA25VLT1G ON SOT-23 | ESDA25VLT1G.pdf | |
![]() | VE-J71-07/S | VE-J71-07/S VICOR SMD or Through Hole | VE-J71-07/S.pdf | |
![]() | CP2145 | CP2145 ORIGINAL SOP-8 | CP2145.pdf |