창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR3105TRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR3105PbF, IRLU3105PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 37m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 57W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP001552778 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR3105TRLPBF | |
| 관련 링크 | IRLR3105, IRLR3105TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F36035ASR | 36MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36035ASR.pdf | |
![]() | LQP03TG0N6B02D | 0.6nH Unshielded Thin Film Inductor 850mA 80 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TG0N6B02D.pdf | |
![]() | 97647IRTZ | 97647IRTZ Intersil QFN | 97647IRTZ.pdf | |
![]() | 75232G SSOP-20 | 75232G SSOP-20 UTC SSOP-20 | 75232G SSOP-20.pdf | |
![]() | PNX8552EH | PNX8552EH NXP 4 7BGA | PNX8552EH.pdf | |
![]() | 2222FPB | 2222FPB ORIGINAL QFP | 2222FPB.pdf | |
![]() | 2SC3098 / M | 2SC3098 / M TOSHIBA SOT-23 | 2SC3098 / M.pdf | |
![]() | MAX1301BEUP+CAL | MAX1301BEUP+CAL MAXIM TSSOP | MAX1301BEUP+CAL.pdf | |
![]() | IRFS50N06 | IRFS50N06 IR TO-263 | IRFS50N06.pdf |