창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR3105PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR3105PbF, IRLU3105PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRLR3105PBF Saber Model IRLR3105PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 37m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 57W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRLR3105PBF SP001572894 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR3105PBF | |
| 관련 링크 | IRLR31, IRLR3105PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 13008-052MESZ | 150µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 3024 (7660 Metric) 80 mOhm 0.299" L x 0.236" W (7.60mm x 6.00mm) | 13008-052MESZ.pdf | |
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![]() | KTC388A | KTC388A KEC SMD or Through Hole | KTC388A.pdf | |
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![]() | LT3569FE#PBF | LT3569FE#PBF LINEAR TSSOP16 | LT3569FE#PBF.pdf | |
![]() | MT4C1024I-10 | MT4C1024I-10 MT ZIP | MT4C1024I-10.pdf | |
![]() | 52852-0809 | 52852-0809 MOLEX SMD or Through Hole | 52852-0809.pdf | |
![]() | PE-53113 | PE-53113 Pulse DIP | PE-53113.pdf | |
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