Infineon Technologies IRLR3105PBF

IRLR3105PBF
제조업체 부품 번호
IRLR3105PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
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내부 부품 번호EIS-IRLR3105PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRLR3105PbF, IRLU3105PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRLR3105PBF Saber Model
IRLR3105PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C25A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs37m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds710pF @ 25V
전력 - 최대57W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 75
다른 이름*IRLR3105PBF
SP001572894
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRLR3105PBF
관련 링크IRLR31, IRLR3105PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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