창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR2908TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR2908PbF, IRLU2908PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRLR2908PBF Saber Model IRLR2908PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1890pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 120W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRLR2908TRPBF-ND SP001553170 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR2908TRPBF | |
| 관련 링크 | IRLR290, IRLR2908TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | F331K33Y5RR6TK7R | 330pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | F331K33Y5RR6TK7R.pdf | |
![]() | GRM1555C1E4R5CZ01D | 4.5pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E4R5CZ01D.pdf | |
![]() | 68001-201 | 68001-201 BERG ORIGINAL | 68001-201.pdf | |
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![]() | TP3070AV-XD | TP3070AV-XD NSC PLCC-28 | TP3070AV-XD.pdf | |
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![]() | TDA7719_tssop28_h1m2 | TDA7719_tssop28_h1m2 ORIGINAL SMD or Through Hole | TDA7719_tssop28_h1m2.pdf | |
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![]() | ROM-C0138L-R | ROM-C0138L-R RAYTRON SMD or Through Hole | ROM-C0138L-R.pdf | |
![]() | LC863432V-5Z71-TLM | LC863432V-5Z71-TLM SANYO SMD or Through Hole | LC863432V-5Z71-TLM.pdf | |
![]() | AM29F080B-90E | AM29F080B-90E AMD SMD or Through Hole | AM29F080B-90E.pdf |