창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR120TRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR120, IRLU120 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 4.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR120TRR | |
| 관련 링크 | IRLR12, IRLR120TRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | T95X156K6R3ESSL | 15µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2910 (7227 Metric) 1 Ohm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) | T95X156K6R3ESSL.pdf | |
![]() | ERA-3AEB5621V | RES SMD 5.62KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB5621V.pdf | |
![]() | CMF50162K00BEEK | RES 162K OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF50162K00BEEK.pdf | |
![]() | AP3768M | AP3768M BCD SOP-8 | AP3768M.pdf | |
![]() | A6H4101/OMS | A6H4101/OMS ORIGINAL SMD or Through Hole | A6H4101/OMS.pdf | |
![]() | UDN16118A | UDN16118A UDN DIP | UDN16118A.pdf | |
![]() | SLM3505GD5V | SLM3505GD5V BIVAR ROHS | SLM3505GD5V.pdf | |
![]() | F881KH222M300C | F881KH222M300C KEMET SMD or Through Hole | F881KH222M300C.pdf | |
![]() | D78322GF905 | D78322GF905 NEC PQFP | D78322GF905.pdf | |
![]() | RCC-NB6576-P01 | RCC-NB6576-P01 RELIANCE BGA | RCC-NB6576-P01.pdf | |
![]() | WLCA12-2NTH | WLCA12-2NTH OMRON SMD or Through Hole | WLCA12-2NTH.pdf | |
![]() | FOR-F352800W600SAP-12A | FOR-F352800W600SAP-12A ORIGINAL SMD or Through Hole | FOR-F352800W600SAP-12A.pdf |