창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR120 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR120, IRLU120 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 4.6A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRLR120 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR120 | |
관련 링크 | IRLR, IRLR120 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
GCM1555C1H8R3DA16D | 8.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GCM1555C1H8R3DA16D.pdf | ||
VJ1210A910KBBAT4X | 91pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A910KBBAT4X.pdf | ||
ERB1885C2E330JDX5D | 33pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ERB1885C2E330JDX5D.pdf | ||
C-2 38.4000K-P:PBFREE | 38.4kHz ±100ppm 수정 11pF 35k옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | C-2 38.4000K-P:PBFREE.pdf | ||
JMC5210 | JMC5210 JMC SOT23-6L | JMC5210.pdf | ||
LM5008MMX | LM5008MMX NSC MSOP | LM5008MMX.pdf | ||
KSM2321 | KSM2321 SAM IC | KSM2321.pdf | ||
BMM29F160BE-70PFTN | BMM29F160BE-70PFTN FUJITSU TSOP | BMM29F160BE-70PFTN.pdf | ||
NEZ3642-4 | NEZ3642-4 NEC SMD or Through Hole | NEZ3642-4.pdf | ||
DNF51-3PH-16A | DNF51-3PH-16A AERPDEV EML | DNF51-3PH-16A.pdf | ||
MC9S08GT32ACFDE | MC9S08GT32ACFDE Freescale QFN | MC9S08GT32ACFDE.pdf | ||
TC551001CTR70L | TC551001CTR70L TOSH TSSOP | TC551001CTR70L.pdf |