창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR120 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR120, IRLU120 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 4.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRLR120 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR120 | |
| 관련 링크 | IRLR, IRLR120 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C221J1GALTU | 220pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C221J1GALTU.pdf | |
![]() | 12105U9R1CAT2A | 9.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12105U9R1CAT2A.pdf | |
![]() | SPJ-7B700 | FUSE 700A 1KV RADIAL BEND | SPJ-7B700.pdf | |
![]() | AF164-FR-076K98L | RES ARRAY 4 RES 6.98K OHM 1206 | AF164-FR-076K98L.pdf | |
![]() | ALN2352 | ALN2352 ASB 13x13x3.8SMT | ALN2352.pdf | |
![]() | TSM1E336DSSR | TSM1E336DSSR DAEWOO DSIZE33uF25V | TSM1E336DSSR.pdf | |
![]() | 101A-11B | 101A-11B ORIGINAL DIP-16 | 101A-11B.pdf | |
![]() | TCC111S | TCC111S TELECHIP SOP28 | TCC111S.pdf | |
![]() | FA1L3N-T1(L82)-3 | FA1L3N-T1(L82)-3 NEC SOT-23 | FA1L3N-T1(L82)-3.pdf | |
![]() | IDT72210L25TF | IDT72210L25TF IDT DIP-28 | IDT72210L25TF.pdf | |
![]() | IRFR4209A | IRFR4209A IR/FSC TO-252 | IRFR4209A.pdf | |
![]() | MAX6505EUTP005 | MAX6505EUTP005 MAXIM SMD | MAX6505EUTP005.pdf |