창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR110TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR110, IRLU110 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 2.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRLR110PBFTR IRLR110PBFTR-ND IRLR110TRPBFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR110TRPBF | |
| 관련 링크 | IRLR110, IRLR110TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805Y104KXJCW1BC | 0.10µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805Y104KXJCW1BC.pdf | |
![]() | GRM0335C1H7R4DD01D | 7.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H7R4DD01D.pdf | |
![]() | LM2576HVT-5 | LM2576HVT-5 NS TO-22 | LM2576HVT-5.pdf | |
![]() | XC2VP4 FG256 4I | XC2VP4 FG256 4I XILINX BGA | XC2VP4 FG256 4I.pdf | |
![]() | MAX3385ECPA | MAX3385ECPA MAXIM SSOP | MAX3385ECPA.pdf | |
![]() | 512811490+ | 512811490+ MOLEX SMD or Through Hole | 512811490+.pdf | |
![]() | KP7110 | KP7110 COSMO DIP | KP7110.pdf | |
![]() | SFA1605G | SFA1605G TSC TO-220A | SFA1605G.pdf | |
![]() | CN45190N | CN45190N SIG DIP-24 | CN45190N.pdf | |
![]() | JR13WCC-10(71) | JR13WCC-10(71) HIROSE SMD or Through Hole | JR13WCC-10(71).pdf | |
![]() | S1/S2 | S1/S2 INNOVATE DIP8 | S1/S2.pdf |