창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR110TRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR110, IRLU110 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 2.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR110TRL | |
| 관련 링크 | IRLR11, IRLR110TRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206A390JBEAT4X | 39pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A390JBEAT4X.pdf | |
![]() | 9B-10.000MBBK-B | 10MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-10.000MBBK-B.pdf | |
![]() | MS46SR-30-870-Q2-10X-10R-NO-FN | SYSTEM | MS46SR-30-870-Q2-10X-10R-NO-FN.pdf | |
![]() | 10101NA | 10101NA S DIP16 | 10101NA.pdf | |
![]() | 39-261RED | 39-261RED CONCORDELECTRONICS SMD or Through Hole | 39-261RED.pdf | |
![]() | 558-0101-007F | 558-0101-007F DLT SMD or Through Hole | 558-0101-007F.pdf | |
![]() | CXA12181 | CXA12181 HITACHI SOP16 | CXA12181.pdf | |
![]() | GA4L3N-T1(AE1) | GA4L3N-T1(AE1) NEC SOT323 | GA4L3N-T1(AE1).pdf | |
![]() | M514223B30 | M514223B30 NOVACAP NULL | M514223B30.pdf | |
![]() | N7000538 | N7000538 ORIGINAL PLCC-68 | N7000538.pdf | |
![]() | 7901201FA | 7901201FA NONE MIL | 7901201FA.pdf |