창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR110PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR110, IRLU110 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 2.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR110PBF | |
| 관련 링크 | IRLR11, IRLR110PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 1812HA221JATBE | 220pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812HA221JATBE.pdf | |
![]() | 2B27 | 2B27 ORIGINAL DIP-64 | 2B27.pdf | |
![]() | LP295IACM | LP295IACM NS SOP8 | LP295IACM.pdf | |
![]() | 5N120B | 5N120B ORIGINAL TO-220 | 5N120B.pdf | |
![]() | QS52807ZQATQ | QS52807ZQATQ IDT SMD or Through Hole | QS52807ZQATQ.pdf | |
![]() | EBW | EBW NO SMD or Through Hole | EBW.pdf | |
![]() | MCR006MZPJ223 | MCR006MZPJ223 ROHM SMD | MCR006MZPJ223.pdf | |
![]() | MAX1547AETL-T | MAX1547AETL-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX1547AETL-T.pdf | |
![]() | XC3S200A-4VQ100I | XC3S200A-4VQ100I XILINX QFP100 | XC3S200A-4VQ100I.pdf | |
![]() | TC4581BP | TC4581BP ORIGINAL DIP | TC4581BP.pdf | |
![]() | KM736V6074AMT-36 | KM736V6074AMT-36 ORIGINAL QFP100 | KM736V6074AMT-36.pdf |