창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR024TRR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR024/IRLU024 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR024TRR | |
관련 링크 | IRLR02, IRLR024TRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | RN73A2A4K32BTDF | RES SMD 4.32KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73A2A4K32BTDF.pdf | |
![]() | CMF603M8300FHEK | RES 3.83M OHM 1W 1% AXIAL | CMF603M8300FHEK.pdf | |
![]() | P51-100-G-J-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-G-J-P-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | MC3592E | MC3592E FREESCALE QFP24 | MC3592E.pdf | |
![]() | JZC-7FF/009-1ZS | JZC-7FF/009-1ZS HONGFA DIP | JZC-7FF/009-1ZS.pdf | |
![]() | ISL9N308AS | ISL9N308AS INTERSIL TO-263 | ISL9N308AS.pdf | |
![]() | SM6103 | SM6103 SG TO-3 | SM6103.pdf | |
![]() | LC72131N/M | LC72131N/M ORIGINAL SOP DIP | LC72131N/M.pdf | |
![]() | 1812-46.4K | 1812-46.4K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-46.4K.pdf | |
![]() | 1210-G U | 1210-G U OSRAM SMD or Through Hole | 1210-G U.pdf | |
![]() | MA110/1A | MA110/1A PAN SOD-323 | MA110/1A.pdf |