창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR024TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR024, IRLU024 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRLR024PBFTR IRLR024TRPBF-ND IRLR024TRPBFTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR024TRPBF | |
관련 링크 | IRLR024, IRLR024TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | AS9174D/TR | AS9174D/TR ASEMI SOP | AS9174D/TR.pdf | |
![]() | NCP584HSN12T1G | NCP584HSN12T1G ON SOT23-5 | NCP584HSN12T1G.pdf | |
![]() | CBW201209U121 | CBW201209U121 FH SMD | CBW201209U121.pdf | |
![]() | SIOV-CT2220K30AUTOE2G2 | SIOV-CT2220K30AUTOE2G2 EPCOS SMD | SIOV-CT2220K30AUTOE2G2.pdf | |
![]() | MAX674ALN | MAX674ALN MAXIM DIP28 | MAX674ALN.pdf | |
![]() | GO5200/64M | GO5200/64M NVIDIA BGA | GO5200/64M.pdf | |
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