창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR024TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR024, IRLU024 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRLR024PBFTR IRLR024TRPBF-ND IRLR024TRPBFTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR024TRPBF | |
| 관련 링크 | IRLR024, IRLR024TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RDE5C1H220J0S1H03A | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RDE5C1H220J0S1H03A.pdf | |
![]() | RR1220P-204-D | RES SMD 200K OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-204-D.pdf | |
![]() | RL1220T-R030-J | RES SMD 0.03 OHM 5% 1/4W 0805 | RL1220T-R030-J.pdf | |
![]() | SM6227FT2K37 | RES SMD 2.37K OHM 1% 3W 6227 | SM6227FT2K37.pdf | |
![]() | MSM7662TBZ010 | MSM7662TBZ010 OKI SMD or Through Hole | MSM7662TBZ010.pdf | |
![]() | VNT009A | VNT009A SII SMD or Through Hole | VNT009A.pdf | |
![]() | L6569AD(E) | L6569AD(E) STM SMD or Through Hole | L6569AD(E).pdf | |
![]() | MCB10-800-RC | MCB10-800-RC ALLIED NA | MCB10-800-RC.pdf | |
![]() | HMI-6617/883 | HMI-6617/883 HARRAS CDIP | HMI-6617/883.pdf | |
![]() | S29GL032N90TFIR40 | S29GL032N90TFIR40 ORIGINAL TSOP | S29GL032N90TFIR40.pdf | |
![]() | 415103-1 | 415103-1 AMP/TYCO AMP | 415103-1.pdf |