창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR024TRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR024, IRLU024 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR024TRL | |
| 관련 링크 | IRLR02, IRLR024TRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | CRCW08054R99FNEB | RES SMD 4.99 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08054R99FNEB.pdf | |
![]() | DAC100 | DAC100 AD DIP | DAC100.pdf | |
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![]() | LDTA113TKT1G | LDTA113TKT1G LRC SC-89 | LDTA113TKT1G.pdf | |
![]() | CS1112YDWFR24 | CS1112YDWFR24 ON SOP-24 | CS1112YDWFR24.pdf | |
![]() | TC4S30F(TE85L,F) | TC4S30F(TE85L,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC4S30F(TE85L,F).pdf | |
![]() | C160160-1 | C160160-1 C SMD or Through Hole | C160160-1.pdf | |
![]() | DS1085LZ-12B2+ | DS1085LZ-12B2+ MAX SC70 | DS1085LZ-12B2+.pdf | |
![]() | RPI 222 | RPI 222 ROHM DIP | RPI 222.pdf |