창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR024NTRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR024NPbF, IRLU024NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLR024NTRPBF Saber Model IRLR024NTRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001553142 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR024NTRRPBF | |
관련 링크 | IRLR024N, IRLR024NTRRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 2.5DMB4R7M10X20 | 4.7F Supercap 2.5V Radial, Can 500 mOhm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.394" Dia (10.00mm) | 2.5DMB4R7M10X20.pdf | |
![]() | IMC1210BN151J | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 65mA 15 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN151J.pdf | |
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![]() | K4M56163PG-75 | K4M56163PG-75 ORIGINAL SMD or Through Hole | K4M56163PG-75.pdf | |
![]() | ILN2001AN | ILN2001AN INTEGRAL DIP16 | ILN2001AN.pdf | |
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![]() | CDA4.5MC30 | CDA4.5MC30 MURATA SMD or Through Hole | CDA4.5MC30.pdf | |
![]() | SN74LVH162245DGGR | SN74LVH162245DGGR ORIGINAL TSSOP | SN74LVH162245DGGR.pdf | |
![]() | QCRB120NJ | QCRB120NJ DVANCE SMD or Through Hole | QCRB120NJ.pdf | |
![]() | CTV350S-CH1VO-2 | CTV350S-CH1VO-2 PHI DIP | CTV350S-CH1VO-2.pdf | |
![]() | DG201ACJ/ | DG201ACJ/ HAR DIP | DG201ACJ/.pdf |