창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR024 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR024, IRLU024 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRLR024 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR024 | |
| 관련 링크 | IRLR, IRLR024 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RG1608N-1332-W-T5 | RES SMD 13.3K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-1332-W-T5.pdf | |
![]() | ICE19CS02 | ICE19CS02 ORIGINAL SMD or Through Hole | ICE19CS02.pdf | |
![]() | TS5A3160DCKT | TS5A3160DCKT TI SC70-6 | TS5A3160DCKT.pdf | |
![]() | X32-16.000-16-15/15-20+75 | X32-16.000-16-15/15-20+75 MERCURY PBF | X32-16.000-16-15/15-20+75.pdf | |
![]() | 4-S263-T200 | 4-S263-T200 SIEMENS PGA | 4-S263-T200.pdf | |
![]() | bc846b+215 | bc846b+215 NXP NL | bc846b+215.pdf | |
![]() | M32AB | M32AB ORIGINAL QFN | M32AB.pdf | |
![]() | SP-320-36 | SP-320-36 MW SMD or Through Hole | SP-320-36.pdf | |
![]() | MM74LS175 | MM74LS175 FAIRCHILD DIP | MM74LS175.pdf | |
![]() | K9GA08UOE-SCBO | K9GA08UOE-SCBO SAMSUNG QFP | K9GA08UOE-SCBO.pdf |