창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR014TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR014, IRLU014 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 4.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.4nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRLR014PBFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR014TRPBF | |
| 관련 링크 | IRLR014, IRLR014TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BA711S | BA711S IDEC SMD or Through Hole | BA711S.pdf | |
![]() | 2N4401RLRAG | 2N4401RLRAG ONSemiconductor TO92 -55 150 | 2N4401RLRAG.pdf | |
![]() | ISDN-24 | ISDN-24 ORIGINAL SMD or Through Hole | ISDN-24.pdf | |
![]() | 232276364758L | 232276364758L YAGEO SMD | 232276364758L.pdf | |
![]() | KB8527BQ | KB8527BQ SAMSUNG QFP48 | KB8527BQ.pdf | |
![]() | XC2V3000-6FT1152I | XC2V3000-6FT1152I XILINX SMD or Through Hole | XC2V3000-6FT1152I.pdf | |
![]() | VCC6-QCD-159M37 | VCC6-QCD-159M37 VECTRON SMD or Through Hole | VCC6-QCD-159M37.pdf | |
![]() | OP532 | OP532 PHILIPS SMD or Through Hole | OP532.pdf | |
![]() | DP8392CN | DP8392CN ORIGINAL DIP | DP8392CN .pdf | |
![]() | 920-2100 | 920-2100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 920-2100.pdf | |
![]() | GCM3195C1H272GA16J | GCM3195C1H272GA16J MURATA Call | GCM3195C1H272GA16J.pdf | |
![]() | LM336N-5 | LM336N-5 NS TO-92 | LM336N-5.pdf |