창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR014TRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR014, IRLU014 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 4.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.4nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR014TRLPBF | |
| 관련 링크 | IRLR014, IRLR014TRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 517D226M6R3JA6AE3 | 22µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 517D226M6R3JA6AE3.pdf | |
![]() | C-2 77.5000K-P | 77.5kHz ±100ppm 수정 11pF 20k옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | C-2 77.5000K-P.pdf | |
![]() | TAJB685K010R | TAJB685K010R AVX 10V6.8B | TAJB685K010R.pdf | |
![]() | STD1NB25T4 | STD1NB25T4 ST TO-252 | STD1NB25T4.pdf | |
![]() | HC145 | HC145 ORIGINAL SMD20 | HC145.pdf | |
![]() | LH53474K | LH53474K SHARP SMD or Through Hole | LH53474K.pdf | |
![]() | YT-20601 | YT-20601 ORIGINAL SMD or Through Hole | YT-20601.pdf | |
![]() | MCP120-475DI | MCP120-475DI MICROCHIP TO-92 | MCP120-475DI.pdf | |
![]() | BD509(-1 | BD509(-1 MOT SMD or Through Hole | BD509(-1.pdf | |
![]() | APL5508R-21A | APL5508R-21A ANPEC SOT89 | APL5508R-21A.pdf | |
![]() | 9014CCD | 9014CCD CDIL SMD or Through Hole | 9014CCD.pdf | |
![]() | DTD114TWT1G | DTD114TWT1G ON SMD or Through Hole | DTD114TWT1G.pdf |