창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR014PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR014, IRLU014 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 4.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.4nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR014PBF | |
| 관련 링크 | IRLR01, IRLR014PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ABC225-1T12L | AC/DC CONVERTER 12V 113W | ABC225-1T12L.pdf | |
![]() | WFH330L50RJE | RES CHAS MNT 50 OHM 5% 330W | WFH330L50RJE.pdf | |
![]() | CMF6593R100FKEA | RES 93.1 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6593R100FKEA.pdf | |
![]() | 3SI11 OA | 3SI11 OA EPSON QFP | 3SI11 OA.pdf | |
![]() | MAX1487ECPA | MAX1487ECPA MAX DIP | MAX1487ECPA.pdf | |
![]() | NTDEC8701 | NTDEC8701 NTDEC DIP28 | NTDEC8701.pdf | |
![]() | LA290B/VG-PF | LA290B/VG-PF LIGITEK ROHS | LA290B/VG-PF.pdf | |
![]() | 24LCS21A-I/P | 24LCS21A-I/P ORIGINAL SMD or Through Hole | 24LCS21A-I/P.pdf | |
![]() | S1D1356F00A1 | S1D1356F00A1 EPSON TQFP-M128P | S1D1356F00A1.pdf | |
![]() | JG0-0105NL | JG0-0105NL PULSE SMD or Through Hole | JG0-0105NL.pdf | |
![]() | K9F1208U0A-YCBT | K9F1208U0A-YCBT SAMSUNG TSOP | K9F1208U0A-YCBT.pdf | |
![]() | LTC2801CDE#PBF | LTC2801CDE#PBF LINEAR DFN | LTC2801CDE#PBF.pdf |