창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLMS5703TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLMS5703PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLMS5703TR Saber Model IRLMS5703TR Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 20/Jan/2014 Micro6 FET Material Chg 30/Sep/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1515 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | Micro6™(TSOP-6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRLMS5703PBFTR SP001552748 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLMS5703TRPBF | |
관련 링크 | IRLMS570, IRLMS5703TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CRCW02011K15FKED | RES SMD 1.15K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02011K15FKED.pdf | |
![]() | RT0603BRE0716R5L | RES SMD 16.5 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE0716R5L.pdf | |
![]() | RCS080519K1FKEA | RES SMD 19.1K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS080519K1FKEA.pdf | |
![]() | SQ-H48W-5 | SQ-H48W-5 LANKOM SMD | SQ-H48W-5.pdf | |
![]() | KR9951 | KR9951 N/A TSSOP | KR9951.pdf | |
![]() | STV-USB2-M03 | STV-USB2-M03 STM SMD or Through Hole | STV-USB2-M03.pdf | |
![]() | N7480F | N7480F S CDIP14 | N7480F.pdf | |
![]() | PMI8506KS | PMI8506KS PMI CDIP8 | PMI8506KS.pdf | |
![]() | UDN5707AT | UDN5707AT ALLEGRO DIP | UDN5707AT.pdf | |
![]() | SuperPRO5000E | SuperPRO5000E ORIGINAL SMD or Through Hole | SuperPRO5000E.pdf |