창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLMS1503TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLMS1503PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLMS1503TR Saber Model IRLMS1503TR Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 20/Jan/2014 Micro6 FET Material Chg 30/Sep/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | Micro6™(TSOP-6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRLMS1503PBFTR SP001550512 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLMS1503TRPBF | |
관련 링크 | IRLMS150, IRLMS1503TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MAL214699904E3 | 47µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 125°C | MAL214699904E3.pdf | ||
SD103CW-TP | DIODE SCHOTTKY 20V 350MA SOD123 | SD103CW-TP.pdf | ||
767143560GP | RES ARRAY 7 RES 56 OHM 14SOIC | 767143560GP.pdf | ||
ROX2SJ820R | RES 820 OHM 2W 5% AXIAL | ROX2SJ820R.pdf | ||
1C-11328 | 1C-11328 SENTROL SOP | 1C-11328.pdf | ||
F1264448PC | F1264448PC TI QFP | F1264448PC.pdf | ||
2SK3993-ZK-E1 | 2SK3993-ZK-E1 NEC SOT-252 | 2SK3993-ZK-E1.pdf | ||
BUZ36 | BUZ36 SIEMENS TO-3 | BUZ36.pdf | ||
EX128-TQ100X79 | EX128-TQ100X79 ACTEL QFP100 | EX128-TQ100X79.pdf | ||
MGCM01 KG | MGCM01 KG MITEL QFP48 | MGCM01 KG.pdf | ||
AN8259 | AN8259 ORIGINAL SOP | AN8259.pdf | ||
PE-50501 | PE-50501 PULSE SMD or Through Hole | PE-50501.pdf |