창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLMS1503TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLMS1503PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLMS1503TR Saber Model IRLMS1503TR Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 20/Jan/2014 Micro6 FET Material Chg 30/Sep/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | Micro6™(TSOP-6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRLMS1503PBFTR SP001550512 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLMS1503TRPBF | |
관련 링크 | IRLMS150, IRLMS1503TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ERA-2ARB242X | RES SMD 2.4K OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2ARB242X.pdf | ||
MBB02070C1203DC100 | RES 120K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C1203DC100.pdf | ||
PTK25-D48-D12-T | PTK25-D48-D12-T CUI Onlyoriginal | PTK25-D48-D12-T.pdf | ||
JC-XQ-1102-B | JC-XQ-1102-B JC/WDF SMD or Through Hole | JC-XQ-1102-B.pdf | ||
550180609 | 550180609 molex Connector | 550180609.pdf | ||
VC1002-AA | VC1002-AA VELIO BGA | VC1002-AA.pdf | ||
IP-BT1-CY | IP-BT1-CY IP SMD or Through Hole | IP-BT1-CY.pdf | ||
CEB6056 | CEB6056 CET TO-263 | CEB6056.pdf | ||
3-5353689-0 | 3-5353689-0 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 3-5353689-0.pdf | ||
TMU3102SB20SW | TMU3102SB20SW ORIGINAL SOP20 | TMU3102SB20SW.pdf | ||
SS022 | SS022 IRC SOP | SS022.pdf |