창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLML5103GTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLML5103GPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 13/Mar/2015 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 760mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 600mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 75pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 540mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | Micro3™/SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRLML5103GTRPBF-ND IRLML5103GTRPBFTR SP001568594 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLML5103GTRPBF | |
관련 링크 | IRLML5103, IRLML5103GTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MURH840CTG | DIODE ARRAY GP 400V 4A TO220AB | MURH840CTG.pdf | ||
RMCF2010JT240R | RES SMD 240 OHM 5% 3/4W 2010 | RMCF2010JT240R.pdf | ||
RNCF2512TTE64R9 | RES SMD 64.9 OHM 0.01% 3/4W 2512 | RNCF2512TTE64R9.pdf | ||
JM18N-ZTMP-DC12V | JM18N-ZTMP-DC12V NAIS SMD or Through Hole | JM18N-ZTMP-DC12V.pdf | ||
S-80717SN-DE-X | S-80717SN-DE-X SEIKO SMD or Through Hole | S-80717SN-DE-X.pdf | ||
MAX038EPP+T | MAX038EPP+T MAXIM DIP-20 | MAX038EPP+T.pdf | ||
2CC14B | 2CC14B CHINA SMD or Through Hole | 2CC14B.pdf | ||
SS6735-52GYTR | SS6735-52GYTR SILICON SMD or Through Hole | SS6735-52GYTR.pdf | ||
856387 942.5M | 856387 942.5M TRIQUINT SMD | 856387 942.5M.pdf | ||
SN74S38J | SN74S38J ORIGINAL DIP-14L | SN74S38J.pdf | ||
MAX8786G | MAX8786G MAX QNN | MAX8786G.pdf | ||
099-0151-002 | 099-0151-002 PHILIPS BGA | 099-0151-002.pdf |