Infineon Technologies IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF
제조업체 부품 번호
IRLML2030TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
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IRLML2030TRPBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRLML2030TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRLML2030TRPBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRLML2030TRPBF Saber Model
IRLML2030TRPBF Spice Model
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Assembly Site Addition 17/Dec/2014
Assembly Site Addition 13/Mar/2015
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1517 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs100m옴 @ 2.7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.3V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds110pF @ 15V
전력 - 최대1.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지Micro3™/SOT-23
표준 포장 3,000
다른 이름IRLML2030TRPBFTR
SP001578662
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRLML2030TRPBF
관련 링크IRLML203, IRLML2030TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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